List
PECVD
Process
-Low temp. SiNx depostion
-Low temp. SiON depostion
-Low temp. SiO2 depositon
Applications
Flexible OLED encapsulation
ON cell touch screen panel
Introduction.
PECVD 공정은 플렉서블 OLED 디바이스에서 수분 침투 방지를 위해 사용됩니다. IPS PECVD는 얇은 SiNx 박막을 증착 시키며 이는 플렉시블 OLED에 필요한 최적화된 광확 투과율과 박막 스트레스를 가지고 있으며 뛰어난 자체 세정 성능으로 고객사의 제작 비용을 절감할 수 있습니다
Technology.
PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) OLED가 플렉서블로 바뀌면서 TFE (thin film encapsulation)로 기존 글래스 기판 공정이 변경되었습니다. TFE 필름의 종류는 SiNx나 SiON 또는 SiO2이며, 플렉서블 디스플레이에 사용되기 때문에 박막의 스트레스가 중요합니다.
Features.
1. CCP plasma mode (13.56MHz) 2. Gen.5.5 ~ Gen.8 glass 3. SiNx, SiON, SiO2 film deposition 4. Film uniformity <3%, Deposition rate > 2500A/min 5. Optimized stress & transmittance 6. WVTR <E-6g/m^2day) 7.High in-situ cleaning rate 17,000A/min
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