List
NOA ALD
Process
- Ti/ALD–TiN
- ALD-TiN
- ALD-W
- TOT (TiN/Ox/TiN)
Applications
- Capacitor
- Worldline
- Plugs
- Metal contact
- MG
Introduction.
NOA는 다양한 금속 박막 공정을 통합 사용할 수 있는 유일한 고유 기능을 가지고 있습니다. 사용자 필요에 따라 NOA는 다양한 조건별로 플랫폼을 확장할 수 있으며 이는 Ti/TiN, Tungsten, Clean step 등을 단일 시스템으로 통합할 수 있는 확장성을 가지고 있습니다. 이를 통해 FAB 비용 및 공간을 절약할 수 있습니다. 기술 발전으로 점점 미세화 기술 노드로 이동하기 때문에 더욱 작은 contact, Via, WL 등 금속 배선을 균일하게 박막하는 것이 점점 어려워지고 있습니다. NOA는 기존 텅스텐 (W) 공정에 비해 불소 함량이 매우 낮고 저항성이 낮은 ALD-W 공정에 대한 솔루션을 제공합니다.
Technology.
NOA 시스템은 Contact, Via, Plug 등 금속 배선 공정에 필요한 Tungsten 박막을 증착하고 TiN (DRAM용 캐패시터 전극)과 TiN(DRAM/Logic/3D NAND용 Barrier 금속막)을 형성합니다. 디바이스 노드가 작아짐에 따라 기존 재래식 CVD-W 공정은 점점 더욱 어려워 지고있습니다. NOA 시스템은 하나의 장비에 여러 공정을 적용함으로서 통합적 공정이 가능합니다
Features.
1. Able to Configure In-line Process Modules For Optimum Integration 2. Higher UPEH with Smaller Footprint (6 to 10 Process Modules) 3. Excellent Reliability ALD 4. Excellent Step Coverage (> 95%) 5. Excellent Gap Fill Performance 6. Uniformity Unif (ALD TiN < 1%) 7. Low Cl Content (ALD TiN < 0.5at%) 8. Low F Content (LFW <5.0E17atoms/cc )
